通过改变倍增元素的数量，国网可以很容易地控制多层复合材料中CB的共连续结构和选择性位置。

因此，北京晶相工程通常被认为是增强电催化活性的有前景的方法。结合先进的表征手段和强大的模拟方法可以得到电子自旋、电力态密度、能带结构等表征电子行为的信息。

另外，首都空位缺陷的存在可以同时调整表面亲水性使得电解质和材料表面有更好的接触。至于OER则为更复杂的四步反应，翼生包括水分子的解离，中间体的形成，O2的最终解吸和电子/质子的释放，其中涉及H-O键的四次断裂和O-O键的形成。 【材料的相变】由于来自各种原子配置的不同电荷分布，机勃电子结构的性质高度依赖于材料的晶相。

值得注意的是，国网人工应力相比于固有应力更灵活和便于调控。催化剂的电子结构在控制其活性中起到了关键作用，北京电子结构信息也被认为是电催化活性的重要描述符。

电力（a）g-C3N4的能带结构随应力强度的变化情况;（b）ΔGH*值在不同氢覆盖条件下随应力强度的变化;（c）不同氢覆盖率下g-C3N4表面HER能线图;（d）HER过程中g-C3N4的动态应力循环示意图。

 【材料的异质结】异质结构的设计是构建电催化活性界面的重要策略，首都异质结构可以通过特定界面电子结构和晶格失配带来的晶格应力来产生新的催化位点，首都从而增强界面电荷转移动力学和反应动力学。翼生图13二维纳米通道中水和铜的MD模拟(a)两个石墨烯层间限域水的侧视图。

机勃(b)无滑移边界的流体速度模型。国网2016年当选美国工程院外籍院士。

北京2016年获联合国教科文组织纳米科学与纳米技术发展贡献奖。电力(c)一维限域的4He超流体起始温度变化。